ورود
مقالات فارسیISIکنفرانسهاژورنالها

تاثیر موقعیت نقص دو حفره ای بر عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی نانو نوار فسفرینی با لبه زیگزاگ

محل انتشار: فصلنامه مهندسی برق دانشگاه تبریز، دوره: 55، شماره: 3
سال انتشار: 1404
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 32

فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:
https://civilica.com/doc/2465984

شناسه ملی سند علمی:

JR_TJEE-55-3_002

تاریخ نمایه سازی: 6 دی 1404

چکیده مقاله:

در این پژوهش، تاثیر موقعیت نقص دو حفره ای بر عملکرد الکتریکی ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی نانو نوار فسفرینی با لبه زیگزاگ بررسی شده است. با تغییر موقعیت نقص در طول و عرض کانال ترانزیستور، مشاهده شد که وجود نقص در سه موقعیت طولی ("نزدیک سورس"، "مرکز" و "نزدیک درین") و سه موقعیت عرضی ("مرکز"، "میانه" و "نزدیک لبه") مورد بررسی، منجر به کاهش نسبت جریان روشن به خاموش ترانزیستور می شود. بهترین عملکرد در ساختاری با نقص در موقعیت میانه عرض کانال مشاهده می شود که این نسبت برابر ۱۶۰۰ می باشد. علاوه بر این، فرکانس قطع در همه حالات کاهش یافته و کمترین کاهش در حالت قرارگیری نقص در موقعیت میانه و لبه عرض کانال رخ می دهد که این مقدار کمتر از ۱۰% می باشد. برای انجام محاسبات، از روش شبه تجربی Slater-Koster با استفاده از پارامترهای DFTB-CP۲K بهره گرفته شده است. این یافته ها نشان می دهند که موقعیت نقص دوحفره ای تاثیر قابل توجهی بر عملکرد الکتریکی ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی نانو نوار فسفرینی دارد و می تواند به عنوان یک عامل مهم در طراحی و ساخت این نوع ترانزیستورها مورد توجه قرار گیرد.

کلیدواژه ها:

نویسندگان

هادی اولیا

استادیار، گروه مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه اردکان، اردکان، ایران

محمد باقر نصراله نژاد

استادیار، گروه مهندسی برق ، واحد گرگان، دانشگاه آزاد اسلامی، گرگان، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • A.R. Urade, I. Lahiri, and K.S. Suresh, "Graphene properties, synthesis ...
  • Z. Hamzavi-Zarghani۱,and A. Yahaghi, "Using Graphene for Tunable Scattering Manipulation ...
  • C. Grazianetti, E. Cinquanta, and A. Molle, "Two-dimensional silicon: the ...
  • J. Sun, X. Li, W. Guo, M. Zhao, X. Fan, ...
  • S. Roy, X. Zhang, A.B. Puthirath, A. Meiyazhagan, S. Bhattacharyya, ...
  • J. Wang, and S. Wang, "A critical review on graphitic ...
  • W. Zhang, X. Zhang, L.K. Ono, Y. Qi, and H. ...
  • L. Ding, P. Shao, Y. Yin, and F. Ding," Synthesis ...
  • M.B. Nasrollahnejad, and P. Keshavarzi, "Inverse Stone Throwers Wales defect ...
  • H. Owlia, and P. Keshavarzi, "Locally defect-engineered graphene nanoribbon field-effect ...
  • H. Owlia, P. Keshavarzi, and M.B. Nasrollahnejad, "Effects of Stone-Wales ...
  • H. Owlia, "Effects of passivation type on electrical transport of ...
  • M.B. Nasrollahnejad, and P. Keshavarzi, "Inverse Stone-Thrower-Wales defect and transport ...
  • J. Gao, J., Zhang, H. Liu, Q. Zhang, and J. ...
  • F. Wan, X. Wang, Y. Guo, J. Zhang, Z. Wen, ...
  • W. Hu, and J. Yang, "Defects in phosphorene," The Journal of ...
  • A. H. Bayani,D. Dideban, and N. Moezi, "Reducing Ambipolar Current ...
  • H. Owlia, and M.B. Nasrollahnejad, "Exploring performance characteristics via edge ...
  • H. Mamori, A. Al Shami, L. Attou, A. El Kenz, ...
  • T.D. Kühne, M. Iannuzzi, M. Del Ben, V.V. Rybkin, P. ...
  • G. Murdachaew, CJ. Mundy, GK. Schenter, T . Laino, and ...
  • The CP۲K simulation package, Available online at: https://www.cp۲k.org. Accessed ۱۰ ...
  • RG. Parr, W. Yang, "Density-Functional Theory of Atoms and Molecules," ...
  • QuantumATK (ATK-VNL ۲۰۱۶), Available online at: https://www.synopsys.com/manufacturing/quantumatk.html. Accessed ۱۰ February ...
  • H. Owlia, and P. Keshavarzi, "A bilayer graphene nanoribbon field-effect ...
  • H. Owlia, and R. Fazli, "Bilayer graphene nanoribbon field-effect transistor ...
  • H. Owlia, M.B. Nasrollahnejad, and R. Fazli, "Phosphorene nanoribbon field ...
  • H. Shamloo, and A.Y. Goharrizi, "Performance study of tunneling field ...
  • M.K. Anvarifard, Z. Ramezani, and S.A. Ghoreishi, "A ballistic transport ...
  • S.S. Ghoreishi, and R. Yousefi, "A computational study of a ...
  • G. Liang, N. Neophytou, M.S. Lundstrom, and D.E. Nikonov, "Computational ...
  • M.A., Hasan, S.S. Nishat, M. Hossain, and S. Islam, "Influence ...
  • A. Naderi," Double gate graphene nanoribbon field effect transistor with ...
  • E. Suhendi, L. Hasanah, D. Rusdiana, F.A. Noor, and N. ...
  • H. Shamloo, and A.Y. Goharrizi, "Performance study of tunneling field ...
  • Poljak, M. and Suligoj, T., " The potential of phosphorene ...
  • Pantis-Simut, C.A., Preda, A.T., Filipoiu, N., Allosh, A. and Nemnes, ...
  • H. Li, J. Tie, J. Li, M. Ye, H. Zhang, ...
  • H. Li, B. Shi, Y. Pan, J. Li, L. Xu, ...
  • A. Khodabakhsh, A. Amini, and A. Afzal, "Phosphorus-based heterojunction tunnel ...
  • K. Ganapathi, Y. Yoon, M. Lundstrom, and S. Salahuddin, “Ballistic ...
    • نمایش کامل مراجع