شبیه سازی و طراحی یک تقویت کننده عملیاتی کم توان با بهره بالا با استفاده از تکنیک افزایش ترارسانایی

در این مقاله یک تقویت کننده عملیاتی با بهره بالا برای کاربردهای کم توان طراحی و شبیه سازی شده است. در فناوری های امروزی به دلیل اثرات کانال کوتاه، دستیابی به بهره بالا در توان های پایین، بسیار دشوار است. لذا در مدار پیشنهادی برای افزایش بهره ولتاژ همزمان با کاهش توان از تکنیک مقاومت منفی جهت افزایش ترارسانایی استفاده شده است. روش های تحلیلی و شبیه سازی مدار در تکنولوژی CMOS ۰.۱۸um تایید می کند که مدار پیشنهادی بهره ولتاژdB ۱۰۰، توان uW ۱۵۶ و حاشیه فاز ۵۹ درجه در ولتاژ تغذیهV ۸/۱ ایجاد می کند. با شبیه سازی یک تقویت کننده عملیاتی دو طبقه مرسوم و مقایسه نتایج شبیه سازی آن با مدار پیشنهادی بهبود عملکرد مدار پیشنهادی مشاهده می گردد. این تقویت کننده می تواند بعنوان تقویت کننده خطا در طراحی مدار رگولاتور ولتاژ با افت کم(LDO) مورد استفاده قرار بگیرد.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده عملیاتی ، کم توان ، بهره بالا ، ترارسانایی ، زوج ضربدری