برآورد کارایی سلول های SRAM توان پایین در تکنولوژی گیت های همه جانبه

تکنولوژی های چند گیتی به دلیل قابلیت کنترل عالی گیت بر روی کانال منجر به شیب زیر آستانه ایده آل و ایمنی قوی در برابر اثرات کانال کوتاه می شود. مشخصه زیر آستانه ایده آل تکنولوژی گیت همه جانبه (GAA) یک ویژگی اساسی برای حفظ نسبت Ion / Ioff بالا در عملیات ولتاژ پایین است. سلول SRAM مبتنی بر تکنولوژی گیت همه جانبه، برای حافظه ی کم توان با ولتاژ تغذیه پایین قابل استفاده است. در این مقاله، کارآیی سلول های SRAM در تکنولوژی GAAاز نظر مصرف توان، پایداری و سرعت عملکرد ارزیابی شد و با طراحی این سلول ها در تکنولوژی FinFET مورد مقایسه قرار گرفته است. شبیه سازی ها با استفاده از نرم افزار HSPICE و مدل BSIM-CMG و فناوری ۱۰ نانومتر انجام شده است. نتایج شبیه سازی ها نشان می دهد، مصرف توان استاتیکی سلول های SRAM کم توان در تکنولوژی GAA بین ۷۸% تا ۸۶% بهبود پیدا می کند. همچنین در تکنولوژی GAA پایداری HSNM و RSNM بین ۴۱% تا ۱۳۱% نسبت به سلول های مشابه در تکنولوژی FinFET افزایش می یابد.