مقایسه عملکرد ژرمانیوم و سیلیکون به عنوان سورس در ترانزیستور عمودی تونل زنی با دو سورس

در این مقاله عملکرد ژرمانیوم و سیلیکون به عنوان سورس در ترانزیستور تونل زنی عمودی با سورس دوگانه بررسی شده است. از نرم افزار سیلواکو برای شبیه سازی این ترانزیستورها استفاده شده است. ابتدا مشخصه جریان ولتاژ این دو ترانزیستور با هم مقایسه شده است و چهار پارامتر جریان روشن، جریان خاموش نسبت جریان روشن به خاموش و پرش زیر آستانه تحقیق شده است. در ادامه چگالی جریان دوبعدی رسم شده است و مسیر جریان در هر دو ترانزیستور مطالعه شده است. همچنین پتانسیل و میدان الکتریکی در سرتاسر نمونه بررسی شده است. این تحقیق راهنمای مناسبی برای مطالعات آینده در زمینه کاربرد ترانزیستورهای تونل زنی با دو سورس خواهد بود.

کلیدواژه ها:

تونل زنی باند به ، باند ترانزیستور ، اثر میدان تونل زنی ، ترانزیستور اثر میدان ، تونل زنی با گیت تی شکل ، پرش زیر آستانه