نوسان ساز حلقوی تفاضلی کنترل شده با ولتاژ توان پایین مبتنی بر ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی

به دلیل حذف حالت مشترک بهتر تغذیه و نویز زیر بستر، نوسان ساز حلقوی تفاضلی (DRO) عملکرد بهتری نسبت به نوسان ساز حلقوی تک سر (SERO) هم در مدارات مجتمع آنالوگ و هم مدارات دیجیتال از خود نشان می دهد. همچنین، دستیابی به عملکرد فرکانس بالا با خروجی های هم فاز و متعامد در نوسان ساز حلقوی تفاضلی آسان است. بدین منظور در این پژوهش، طراحی و شبیه سازی یک نوسان ساز حلقوی تفاضلی کنترل شده با ولتاژ (DVCRO) سه طبقه بر اساس ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی (CNTFET) ارائه می شود که فرکانس نوسان آن را با تغییر ولتاژ کنترل ساختار سلول تاخیر پیشنهادی می توان در بازه بسیار وسیعی از ۷/۴۵ گیگاهرتز تا ۱۸/۱۱۰ گیگاهرتز تغییر داد و درعین حال توان مصرفی آن در بازه ۱۷/۵ میکرو وات تا ۶۸/۳۲ میکرو وات باشد. بر اساس نتایج به دست آمده در ولتاژ تغذیه ۹/۰ ولت، نوسان ساز حلقوی کنترل شده با ولتاژ (VCRO) پیشنهادی مبتنی بر ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی ویژگی های امیدوارکننده ای نسبت به همتای مبتنی بر ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی-اکسید-فلز (MOSFET) خود نشان می دهد. همچنین، نسبت به سایر نوسان سازهای موجود عملکرد فوق العاده خوبی از خود نشان می دهد.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی (CNTFET) ، حاصل ضرب تاخیر در توان (PDP) ، سلول تاخیر ، نوسان ساز حلقوی تفاضلی کنترل شده با ولتاژ (DVCRO) ، نوسان ساز حلقوی تک سر (SERO).