طراحی و تحلیل سوئیچ خازنی RF MEMS کم تلف در باند V

در این مقاله تلاش و تحلیل یک سو هیچ خازن این RF MEMS موازی کم تلف به روی موجبر هم‌ صفحه در باند فرکانسی V ( GHz60 - 40 ) ارائه شده است. مکانیسم تحریکی سوئیچ به صورت الکترواستاتیکی است. ابتدا موجبر هم‌سطح برای داشتن امپدانس مشخص 50 اهم طراحی شده سپس هیچ مورد نظر طراحی و پس از انتخاب ابعاد آن ابتدا توسط نرم‌افزار CoventorWare سوئیت پنج الکترومکانیکی و گذرا شده و ولتاژ پایین کشنده و زمان سوئیچینگ آن به‌دست‌آمده در ادامه سوییس در دو حالت روشن و خاموش به کمک مدل سازی در نرم‌افزار HFSS اینو چی شده و پارامترهای مهم یک سوئیچ از جمله تلفات بازگشتی و تلفات داخلی در حالت روشن و ایزولاسیون در حالت خاموش برای باند فرکاانسی V استخراج کرده است. در این مقاله نشان داده شده که سوئیت طراحی شده دارای تلفات پایین، ایزولاسیون بالا و تلفات بازگشتی بسیار ناچیز در باند فرکانسی V می‌باشد.

کلیدواژه ها:

سوئیچ RF MEMS ، موجبر هم صفحه ، پارامتر S کار تلفات داخلی ، ایزولاسیون