تنظیم کننده ولتاژ cmos با افت کم تمام مجتمع

در این مقاله ابتدا به بررسی چالش‌های پیش رو در برابر مجتمع سازی کامل مدارهای تنظیم کننده ولتاژ با افت کم LDO پرداخت و سپس یک ساختار متداول LDO گبدون خازن بیرونی را معرفی می‌کنیم که در آن به منظور بهبود عملکرد دینامیکی مدار از یک مسیر سری بین گره خروجی و یت ترانزیستور گذر استفاده شده است. نشان خواهیم داد که جاسازی این مسیر سری در داخل تقویت‌کننده خطا می‌تواند سبب صرفه‌جویی در توان مصرفی و بهبود عدد شایستگی شود. کلیه نتایج با شبیه‌سازی توسط HSPICE و با به‌کارگیری فناوری UM 0/35 به دست آمده است.

کلیدواژه ها:

پس کننده‌های ولتاژ با افت کم ldo ، مسیر سریعاً ، تقویت‌کننده خطا ، ضرب کننده ی خازنی