بررسی عملکرد سنسوری مبتنی بر ترانزیستور تونلی با گیت فلزی دوگانه مدولاسیون دی الکتریک در مقایسه با ساختار با گیت فلزی تکی

این مقاله یک ساختار جدید برای کاربردهای سنسوری مدوله شده دیالکتریک با عنوان ترانزیستور تونلی با گیت فلزی دوگانه را پیشنهاد و با ساختار ترانزیستور تونلی با گیت تکی با ابعاد مشابه مقایسه شده است. این مقاله به بررسی فیزیک اساسی این معماریها و تخمین عملکرد سنسوری مقایسه ای آنها می پردازد. عملکرد سنسوری برای هر دو مولکولهای باردار و خنثی از نظر بار با استفاده از شبیه سازی در سطح دستگاه ارزیابی شده است و اثرات ثابت دی الکتریک و چگالی بار مولکول هدف نیز مورد مطالعه قرار گرفته است. در معماری ترانزیستور تونلی با گیت فلزی، دوگانه تزویج بهتر ولتاژ گیت روی سطح کانال فرآیند تونل زنی باند به باند را افزایش میدهد و این امر برای تشخیص مورد استفاده قرار گرفته است که منجر به حساسیت جریان درین بالاتر برای اتصال مولکول هدف می شود. نتایج نشان میدهد که شرایط بایاس گیت تاثیر زیادی بر افزایش حساسیت در سنسور ترانزیستور تونلی با گیت فلزی دوگانه نشان میدهند.

کلیدواژه ها:

عملکرد ، سنسوری ترانزیستور ، تونلی گیت فلزی ، دوگانه مدولاسیون دی الکتریک