بررسی اثرات مشخصات ساختاری نانو حفره بر روی حساسیت سنسور ترانزیستور تونلی با پیوند سورس ناهمگون گالیوم/آرسنید/گالیوم آنتیموان

در این مقاله یک سنسور جدید با حساسیت بالا مبتنی بر ترانزیستور تونلی با پیوند سورس ناهمگون گالیوم آرسنید/گالیوم آنتیموان معرفی و اثرات مشخصات ساختاری نانو حفره بر روی حساسیت آن شده است. نانو حفره هایی در اکسید گیت ترانزیستور تونلی پیشنهادی ایجاد می شوند تا ساختار نانو حفره دوگانه تشکیل شود. این نانو حفره ها حاوی مولکولها هدف هستند که باید از طریق رویکرد مدولاسیون گیت دی الکتریک حس شوند. مهندسی زیرلایه برای کاهش جریان نشتی ترانزیستور تونلی با به حداقل رساندن گرمای شبکه استفاده می شود. پارامترهای حساسیت جریان در این ساختار ترانزیستور تونلی با پیوند سورس ناهمگون گالیوم آرسنید/گالیوم آنتیموان پیشنهادی با در نظر گرفتن مولکولهای هدف مختلف به طور کامل بررسی شده اند. علاوه بر عملکرد افزاره با پرکننده های مختلف نانو حفره و پروفایل های پله ای ناشی از مانع فضایی بررسی شده است. نتایج نشان می دهد که ساختار ترانزیستور تونلی با پیوند سورس ناهمگون گالیوم/آرسنید/گالیوم آنتیموان، پیشنهادی حساسیت جریان بالاتری نسبت به برخی از سنسورهای مبتنی بر ترانزیستور تونلی که اخیرا گزارش شده اند، دارد.

کلیدواژه ها:

پیوند سورس ناهمگون گالیوم آرسنید گالیوم ، آنتیموان ترانزیستور تونلی ، سنسور