طراحی جدیدی از سلولهای حافظه SRAM با رویکرد عملیات منطقی بر پایه ترانزیستورهای FINFET

در این مقاله، طراحی SRAM های با تراکم بالا و توان کم که ولتاژ کاری آنها کمتر از ولتاژ کاری ترانزیستورهای معمول، بسیار چالش برانگیز است چرا که این امر موجب کاهش حاشیه نویز استاتیکی می شود. بنابراین طراحی این سلول های حافظه با یک تکنولوژی جدید که حجم را کاهش و مصرف توان استاتیکی را کم نماید مورد توجه محققان است. در این مقاله با بررسی اثر استفاده از این قطعات در بهبود عملکرد توانی تراشه های FINFET به محاسبه توان مصرفی در تراشه های مبتنی بر این روش پرداخته شده است و به نظر می رسد که در صورت استفاده از این روش، میزان توان مصرفی استاتیک کاهش قابل توجهی نسبت به توان استاتیک مدارات سیلیکونی خواهد داشت.

کلیدواژه ها:

سلولهای حافظه ، SRAM ، FINFET