تعیین تجربی پارامترهای اپتیکی لایه های نازک سلنیدروی و سلنیدروی/مس به روش تبخیر خلاء

لایه های نازک سلنیدروی و سلنیدروی/مس با موفقیت به روش تبخیر خلاء تهیه شدند. با استفاده از طیف سنجی مرئی-فرابنقش خواص نوری آن ها بررسی شد. در ناحیه شفاف نمونه لایه نازک سلنیدروی عبور بهتری نسبت به لایه نازک سلنیدروی/مس را از خود نشان داد. ضریب شکست نمونه سلنیدروی در طول موج های پایین به طول موج وابسته است اما در طول موج های بیشتر از ۶۰۰ نانومتر بدون وابستگی به طول موج و دارای مقدار ثابت حدودا ۵/۱ می باشد. برای نمونه سلنیدروی/مس ضریب شکست وابستگی کمی به طول موج مشاهده می شود و تقریبا مقدار بین ۵/۱ تا ۶/۱ را دارد. ضریب خاموشی برای هر دو نمونه با افزایش طول موج، کاهش می یابد. قسمت حقیقی و موهومی ثابت دی الکتریک به ترتیب رفتاری مشابه ضریب شکست و ضریب خاموشی از خود نشان دادند. از این مطالعه می توان نتیجه گرفت که هر دو لایه نازک با چنین ویژگی های نوری برای کاربردهای اپتوالکترونیکی مناسب هستند.

کلیدواژه ها:

سلنیدروی ، سلنیدروی/مس ، لایه نازک ، ضریب شکست و خاموشی ، ثابت دی الکتریک