روش نوین کاهش توان مصرفی در حافظه های SRAM مبتنی بر دیود تونلی متقاطع (XTD)

در سال های اخیر، با افزایش تعداد دستگاه های پرتابل و ابزارهای هوشمند، مصرف توان به موضوعی حیاتی در الکترونیک تبدیل شده است. حافظه های SRAM، هرچند سریع و قابل اعتمادند، اما همچنان بخش بزرگی از انرژی را مصرف می کنند. در این پژوهش، مدلی تازه برای حافظه SRAM معرفی می کنیم که محور آن دیودهای تونلی متقاطع (XTD) است. استفاده از این ساختار باعث شده تا هم نشتی توان سلول کم شود و هم ابعاد آن کوچک باقی بماند. شبیه سازی ها با تکنولوژی های جدید نیمه هادی نشان دادند که سلول جدید نه تنها انرژی کمتری هدر می دهد، بلکه می تواند در کاربری های مدرن مثل اینترنت اشیا و دستگاه های پوشیدنی نقش موثری داشته باشد.

کلیدواژه ها:

حافظه کم مصرف ، XTD ، دیود تونلی ، SRAM ، مقاومت تفاضلی منفی