شبیه سازی، اندازه گیری و شبیه سازی ماژول های فتوولتائیک با استفاده از مدارهای الکترونیکی قدرت با فرکانس بالا و چگالی توان بالا

اندازه گیری ماژول های PV با استفاده از یک ردیاب منحنی ولتاژ - جریان (I-V) به نصب کننده اجازه می دهد تا بداند که آیا ماژول های PV ۰۰۱ درصد عملیاتی هستند یا خیر. ماژول های نصب شده را می توان به درستی منطبق کرد تا عملکرد به حداکثر برسد. پس از نصب، کل سیستم باید به طور مشابه برای تشخیص عدم تطابق، سایه زنی جزئی، یا آسیب نصب قبل از تقویت سیستم مشخص شود. این کار از همان ابتدا از هر گونه مشکل قابل اطمینان جلوگیری کرده و اطمینان حاصل می کند که کارایی سیستم بالا خواهد ماند. بار خازنی در اندازه گیری منحنی I-V با هدف به حداقل رساندن حجم و هزینه ردیاب منحنی پیاده سازی می شود. علاوه بر این، افزایش وضوح و دقت اندازه گیری از طریق استفاده از روش های اندازه گیری دقیق ولتاژ و جریان و مدل های دقیق PV برای ترجمه منحنی ها به شرایط تست استاندارد ممکن است. حرکت از رله های مکانیکی به MOSFET های حالت جامد قابلیت اطمینان سیستم را بهبود بخشید در حالی که به طور قابل توجهی حجم و هزینه های دستگاه را کاهش داد. در نهایت، شبیه سازی ماژول های PV برای آزمایش اجزای الکتریکی یک سیستم PV ضروری است. شبیه سازی PV تست ها را ساده و استاندارد می کند که اجازه می دهد سطوح مختلف تابش، دما و سایه جزئی به راحتی تست شوند. شبیه سازی مناسب ماژول های PV نیاز به یک مدل دقیق و ساده ریاضی PV دارد که تمام متغیرهای سیستم شناخته شده را در بر بگیرد تا هر ماژول PV بتواند همانطور که طراحی نیاز دارد شبیه سازی شود. یک مبدل غیر سنکرون باک برای شبیه سازی یک ماژول PV با توان بالا با استفاده از دستگاه های سیلیکونی سنتی پیشنهاد شده است. با کار اثبات مفهوم و بهبود در کارایی، چگالی توان و خطاهای حالت پایدار، آزمون های دینامیکی با استفاده از یک اینورتر متصل به شبیه ساز PV انجام شد. به منظور بهبود ویژگی های دینامیکی، یک توپولوژی مبدل سنکرون باک همراه با استفاده از دستگاه های پیشرفته GaNFET پیشنهاد می شود که منجر به بازده توان بسیار بالا و بهبود ویژگی های پاسخ دینامیکی در هنگام شبیه سازی ماژول های PV می شود.

کلیدواژه ها:

ماژول های فتوولتائیک ، مدارهای الکترونیکی قدرت ، فرکانس و چگالی