سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

ورود
مقاله فارسیISIکنفرانسهاژورنالها

بررسی ترابرد الکترون در نانوسیمهای ابر شبکه ای بی نظمInxGa(1-x)As و InAs

محل انتشار: دومین همایش دانشجویی فناوری نانو
سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,051

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

دانلود فایل کامل مقاله

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:
https://civilica.com/doc/23017

شناسه ملی سند علمی:

NANOSC02_260

تاریخ نمایه سازی: 27 دی 1385

چکیده مقاله بررسی ترابرد الکترون در نانوسیمهای ابر شبکه ای بی نظمInxGa(1-x)As و InAs

با در نظر گرفتن ساختار ابرشبکه InAs/GaAs or InxGa(1-x)As/InAs قطبیدگی اسپین الکترونها و ضریب عبور آنها را تحت اثر عدم تقارن معکوس (BIA) ساختار و در حضور برهمکنش اسپین مدار مورد مطالعه قرار گرفته و نشان داده شده است که با بهینه کردن درصد ایندیوم و فاصلة بین دو لایة ناخالصی تحت هامیلتونی درس الهاوس، می توان به قطبیدگی %100 برای اسپین الکترونها رسید . همچنین شرایط گذار مات برای سیستم مورد مطالعه قرار گرفته است . وابستگی انرژی گذار به پهنای سد نیز بررسی شده است

کلیدواژه های بررسی ترابرد الکترون در نانوسیمهای ابر شبکه ای بی نظمInxGa(1-x)As و InAs:

قطبیدگی اسپین ، تونل زنی وابسته به اسپین ، طول جایگزیدگی ، نمای لیاپانف

نویسندگان مقاله بررسی ترابرد الکترون در نانوسیمهای ابر شبکه ای بی نظمInxGa(1-x)As و InAs

ادریس فیض آبادی

دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، دانشگاه علم و صنعت ایران

محمدرضا خیاط زاده

دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، دانشگاه علم و صنعت ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
S. A. Wolf, D. D. Awschalom, R. A. Buhrman, J. ...
R. Fiederling, M. Keim, _ Reuscher, W. Ossau, G. Schmidt, ...
B. T. Jonker, Y.D. Park, B. R. Bennett, H. D. ...
Y. Ohno, D. K. Young, B. Beschoten, F. Matsukura, _ ...
H. J. Zhu, M. Ramsteiner, H. Kostial, M .Wassermeier, H. ...
C. M. Hu, J. Nitta, A. Jensen, J. B. Hansen, ...
A. T. Hanbicki, B. T. Jonker, G. Itskos, G. Kioseoglou, ...
A. V oskoboynikov , S. S. Lin, C. P. Lee ...
E. A. de Andrada e Silva and G. C. La ...
G. Schmidt, D. Ferrand, L.W. Molenkamp, A.T. Filip, and J. ...
E. I. Rashba, Phys. Rev. B, 62, R16267 (2000). ...
A _ V o skoboynikov, S. S. Liu, and C.P. ...
V. I. Perel, S. A. Tarasenko, and I. N. Yassievich, ...
K. Gnanasekar, K. N avaneethakri shnan, Physica E, 28, 328 ...
G. Dresselhaus, Phys. Rev. 100, 580 (1955). ...
E. O. Kane, J. Phys. Chem. Solids, 1, 249, (1957). ...
U. Rossler, Solid State Commun. 49, 943, (1984). ...
E. O. Kane, Tunneling Phenomenon in Solids, Plenum, New York, ...
A. Esmailpour, M. Esmaeilzadeh , E. Faizabadi, P. Carpena and ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "بررسی ترابرد الکترون در نانوسیمهای ابر شبکه ای بی نظمInxGa(1-x)As و InAs" توسط ادریس فیض آبادی، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، دانشگاه علم و صنعت ایران؛ محمدرضا خیاط زاده، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، دانشگاه علم و صنعت ایران نوشته شده و در سال 1386 پس از تایید کمیته علمی دومین همایش دانشجویی فناوری نانو پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله قطبیدگی اسپین، تونل زنی وابسته به اسپین، طول جایگزیدگی، نمای لیاپانف هستند. این مقاله در تاریخ 27 دی 1385 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 1051 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که با در نظر گرفتن ساختار ابرشبکه InAs/GaAs or InxGa(1-x)As/InAs قطبیدگی اسپین الکترونها و ضریب عبور آنها را تحت اثر عدم تقارن معکوس (BIA) ساختار و در حضور برهمکنش اسپین مدار مورد مطالعه قرار گرفته و نشان داده شده است که با بهینه کردن درصد ایندیوم و فاصلة بین دو لایة ناخالصی تحت هامیلتونی درس الهاوس، می توان به قطبیدگی %100 ... . برای دانلود فایل کامل مقاله بررسی ترابرد الکترون در نانوسیمهای ابر شبکه ای بی نظمInxGa(1-x)As و InAs با 6 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.