بررسی ترابرد الکترون در نانوسیمهای ابر شبکه ای بی نظمInxGa(1-x)As و InAs
محل انتشار: دومین همایش دانشجویی فناوری نانو
سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,022
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NANOSC02_260
تاریخ نمایه سازی: 27 دی 1385
چکیده مقاله:
با در نظر گرفتن ساختار ابرشبکه InAs/GaAs or InxGa(1-x)As/InAs قطبیدگی اسپین الکترونها و ضریب عبور آنها را تحت اثر عدم تقارن معکوس (BIA) ساختار و در حضور برهمکنش اسپین مدار مورد مطالعه قرار گرفته و نشان داده شده است که با بهینه کردن درصد ایندیوم و فاصلة بین دو لایة ناخالصی تحت هامیلتونی درس الهاوس، می توان به قطبیدگی %100 برای اسپین الکترونها رسید . همچنین شرایط گذار مات برای سیستم مورد مطالعه قرار گرفته است . وابستگی انرژی گذار به پهنای سد نیز بررسی شده است
کلیدواژه ها:
نویسندگان
ادریس فیض آبادی
دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، دانشگاه علم و صنعت ایران
محمدرضا خیاط زاده
دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، دانشگاه علم و صنعت ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :