اکسیداسیون حرارتی سیلیکون در فناوریهای میکروالکترونیک

فرآیند اکسیداسیون حرارتی سیلیکون یک فرآیند کلیدی در صنعت نیمه هادی است که در تولید مدارهای مجتمع (ICs)، ترانزیستورها، دیودها، و دیگر قطعات میکروالکترونیکی استفاده می شود. این فرآیند ایجاد لایه های از دیاکسید سیلیکون (SiO₂) روی سطح سیلیکون می شود که خواص ویژه ای مانند ثابت الکتریکی، مقاومت در برابر دما و شرایط محیطی، و استحکام مکانیکی دارد. این ویژگی ها باعث می شوند که لایه های اکسید سیلیکون در طراحی و ساخت دستگاه های نیمه هادی مانند ترانزیستورهای اثر میدان (MOSFET) و دیودها، که اساس اصول فناوری مدرن هستند، ضروری باشند. با توجه به کوچک تر شدن ابعاد مدارها و نیاز به دقت بیشتر در کنترل جریان الکتریکی، فرآیند اکسیداسیون ازاری مهمی برای ساخت لایه های ثابت نازک و دقیق تر شناخته شده است. این لایه های اکسید در کاربردهای الکترونیکی ویژه در نیمه هادی ها و دیوایس هایی که به کنترل دقیق جریان نیاز دارند، به طور گسترده استفاده می شوند.

کلیدواژه ها:

اکسیداسیون حرارتی ، سیلیکون ، نیمه هادی ، مدارهای مجتمع ، دیاکسید سیلیکون ، ترانزیستورها ، دیودها ، میکروالکترونیک