معرفی ساختارموجبرباریک شونده ی دوالکترودی برای تقویت کننده های نیمه هادی نقطه کوانتومی
محل انتشار: دومین همایش سراسری کاربردهای دفاعی علوم نانو
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 449
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
BSNANO02_200
تاریخ نمایه سازی: 9 بهمن 1392
چکیده مقاله:
باتوجه به کاهش گین بصورت محلی درتقویت کننده های نیمه هادی نقطه کوانتومی QD-SOA بهدلیل کاهش چگالی حامل ها درطول ناحیه فعال دراین مقاله ترکیبی ازدوروش تقسیم جریان توسط اتصال دوالکترودی و استفاده ازساختارموجب باریک شونده (Tapered Waveguide Structure برای جبران این مسئله معرفی میگردد برای این منظور مشخصات و نتایج گین برای این دوساختار جداگانه بدست می ایند و درنهایت مشاهده می شود که درمقایسه با این دوروش درروش ترکیبی بهبودی درگین حاصله بدست می اید برای این منظور ازمعادلات نرخ بهره گرفته شده است که توسط روش تفاضلی محدود و MATLAB ODE، حل میگردند
کلیدواژه ها:
نویسندگان
احسان محدث راد
دانشگاه شهید بهشتی تهران
کامبیز عابدی
دانشگاه شهید بهشتی اوین تهران
ابوالفضل چمن مطلق
دانشگاه جامع امام حسین ع تهران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :