محاسبه بازده سلول سه ساختاری InGaP/GaAs/Ge وارائه روشی جهت افزایش بازده

هدف این مقاله ارایه روشی جهت بهبود بازده درسلول های خورشیدی بانیمه هادی های گروه III-V بااستفاده ازنانوساختارهاست محدوده بازده سلول خورشیدی سه ساختاری InGaP/GaAs/Ge رابدست اوردیم باتوجه به شکل باشکاف باندهای InGaP درمقدار 1.89ev وشکاف باند GaAs درکاهش 1.42Ev,Ge درمقدار 0.67ev بازده 33.5%بدست امده است سپس با ثابت نگهداشتن شکاف باندسلولهای فوقانی و زیرین وکاهش شکاف باندسلول GaAs نشان داده ایم که بازده به ماکزیمم مقدار خود 47.5درصد می رسد این کاربا افزودن ساختارهای نانوافزودن چاه های کوانتومی InAs درماده بالک انجام میگیرد بطوریکه GaAsتبدیل به یک سلول خورشیدی باندمیانی با شکاف باندمطلوب خواهد شد دراین مقاله سعی براین شد که باانجام محاسبات و شبیه سازی آنها درنرم فزار matlab و استفاده ازروش Kronig-Penny پهناهای بهینه چاه و سدبرای ایجادباندهای میانی مناسب را بدست اوردیم بااجرای شبیه سازی نتیجه شد که پهنای مناسب چاه 6nm وپهنای مناسب سدبرابر 7nm می باشد

کلیدواژه ها:

InGaP/GaAs/Ge ، سلولهای خورشیدی ، چاه کوانتومی ، سلول خورشیدی باندمیانی ، نانوساختار