مدل سازی تحلیلی ترانزیستورهای موبیلیتی بالای AlGaN/GaN با لایه p در سد

در این مقاله مدل سازی تحلیلی دوبعدی یک ترانزیستور موبیلیتی بالا با یک لایه p در لایه سد ارائه شده است. در این مدل توزیع پتانسیل و میدان الکتریکی با حل معادله لاپلاس دوبعدی و به پتانسیل معادل" href="https://civilica.com/search/paper/k-%D8%B1%D9%88%D8%B4%20%D9%BE%D8%AA%D8%A7%D9%86%D8%B3%DB%8C%D9%84%20%D9%85%D8%B9%D8%A7%D8%AF%D9%84/">روش پتانسیل معادل و شرایط مرزی مناسب برای دو حالت تخلیه کامل و تخلیه ناکامل به دست آمده است. در روش پتانسیل معادل، بارهای ناحیه تخلیه با یک پتانسیل در سطح لایه passivation جایگزین می شود. این مدل دقت و سادگی مناسبی را سبب می شود و دیدگاه فیزیکی در مورد مشخصه شکست ترانزیستور موبیلیتی بالای AlGaN/GaN با لایه p در سد ارائه می کند. این لایه، میدان الکتریکی زیر گیت در نزدیکی درین را کاهش داده و یک بیشینه میدان جدید ایجاد می کند که سبب می شود توزیع میدان در کانال یکنواخت تر شده و در نتیجه ولتاژ شکست افزایش یابد. وابستگی میدان و پتانسیل در کانال به طول و ضخامت لایه p بررسی شده است. مقایسه نتایج مدل با نتایج شبیه سازی با نرم افزار سیلواکو، دقت مدل را تایید می کند.

کلیدواژه ها:

مدل تحلیلی ، معادله لاپلاس ، روش پتانسیل معادل ، پتانسیل ، میدان الکتریکی ، لایه p