مدلسازی و شبیه سازی افزاره های تک الکترون
محل انتشار: دومین همایش دانشجویی فناوری نانو
سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,796
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NANOSC02_061
تاریخ نمایه سازی: 27 دی 1385
چکیده مقاله:
در این مقاله روش های مورد استفاده در مدلسازی و شبیه سازی افزاره های تک الکترون با تاکید بر ساختار ترانزیستوری مبتنی بر قضیه ارتودوکس (Orthodox Theory) تحقیق شده است . در یک دسته بندی کلی این روش ها را می توان به دو گروه تقسیم کرد . این دو روش عبارتند از : روش معادله اصلی (Master Equation) ، روش مونت کارلو . در روش اول که هدف حل معادله اصلی است، می توان یا از تکنیک های عددی استفاده کرد و یا به روش تحلیلی و با تقریب های مناسبی در حالت های خاص یک رابطه ی بسته برای جواب معادله بدست آورد . در این تحقیق ضمن بررسی مقایسه ای روشهای مورد اشاره، نتایج حاصل از حل معادله اصلی با تکنیک عددی را برای شبیه سازی یک نمونه ترانزیستور تک الکترون ارائه خواهیم کرد .
کلیدواژه ها:
نویسندگان
علی شاه حسینی
دانشجو
کامیار ثقفی
گروه الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه شاهد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :