کاهش جریان نشتی در نانوترانزیستورهای با دو گیت سیلیکون فوق نازک

قسمتهای مهم در ساختار نانوترانزیستور ها کانال عبوری حامل ها و گی ت دی الکتریک می باشند . با بهبود شرایط و نوع کانال و گیت بکار رفته در ترانزیستورها میتوان جریان عبوری را تا حد دلخواهی افزایش داد . در این پروژه از نانولولهی کربنی با توجه به ویژگی - های خاصش به عنوان کانال نام می بریم و چگونگی عبور حامل ها را از این کانال با استفاده از روش تحلیلی لاندائو - بوتیکر مورد مطالعـه قرار دادیم . نتایج نشان می دهند که به دلیل افزایش مقاومت در برابر حرکت حامل ها که باعث کاهش جریان مطلوب از کانال ایجاد شده در زیر گیت میشود، میتوان از سیستمهای دو گیتی به جای سیستم یک گیتی در ترانزیستورها استفاده نمود

کلیدواژه ها:

ترانزیستورهای اثر میدانی ، روش تحلیلی لاندائو - بوتیکر ، گیت اکسید سیلیکون ، سیم کوانتومی ، نانوترانزیستورها