حسگر گاز لایه نازک اکسید روی

سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,760

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

IPC86_263

تاریخ نمایه سازی: 20 دی 1385

چکیده مقاله:

فلز Zn به روش PVD با تبخیر حرارتی بر روی زیرآیند های شیشه ای نشانده شد . برای دستیابی به لایه اکسید روی، لایه های حاصل به مدت 3 ساعت در دماهـ ای 500 و 600 درجه سانتیگراد در کوره اکسید شده سپس به عنوان حسگر گاز مور د استفاده قرار گرفت . تغییر رسانش الکتریکی لایه های نمونه در اثر افـزایش دمـا بررسـی شد . همچنین لایه های ZnO حاصل به عنوان حسگر اتانول مورد بررسی قرار گرفت . دمای بهینه کار حسگر حدود 270 ° C به دست آمد . تغییرات حساسیت نسبت بـه تراکم اتانول نیز بررسی و مشاهده شد که حسگر اکسید شده در 500 °C نسبت به اتانول تا حدود 15000 ppm حالت اشباع نشان نمی دهد .

نویسندگان

سمیه مهدیزاده

دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی

رضا افضل زاده

دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی

فرامرز حسین بابایی

دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی