حسگر گاز لایه نازک اکسید روی

فلز Zn به روش PVD با تبخیر حرارتی بر روی زیرآیند های شیشه ای نشانده شد . برای دستیابی به لایه اکسید روی، لایه های حاصل به مدت 3 ساعت در دماهـ ای 500 و 600 درجه سانتیگراد در کوره اکسید شده سپس به عنوان حسگر گاز مور د استفاده قرار گرفت . تغییر رسانش الکتریکی لایه های نمونه در اثر افـزایش دمـا بررسـی شد . همچنین لایه های ZnO حاصل به عنوان حسگر اتانول مورد بررسی قرار گرفت . دمای بهینه کار حسگر حدود 270 ° C به دست آمد . تغییرات حساسیت نسبت بـه تراکم اتانول نیز بررسی و مشاهده شد که حسگر اکسید شده در 500 °C نسبت به اتانول تا حدود 15000 ppm حالت اشباع نشان نمی دهد .