XPSساخت و بررسی خواص نانواکسید سیلیکون توسط

سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,450

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

IPC86_258

تاریخ نمایه سازی: 20 دی 1385

چکیده مقاله:

ضخامت اکسید سیلیکون در ترانزیستورهای CMOS فعلی حدود 1 /2 نانومتر است و عواملی باعث محدود شدن کارایی اکسید فوق نازک سیلیکون در تولیدات آتی CMOS می شود . اما تاکنون هیچ عایق دی الکتریک دیگری نتوانست در عمل جایگزین خوبی برای اکسید سیلیکون باشد . بنابراین همچنان نیاز به رشد اکسید سیلیکون فوق نازک حدود 1 nm و نازکتر می باشد . لذا در اینجا به رشد اکسید سیلیکون درشرایط فوق خلاء پرداختیم وتوانستیم اکسید سیلیکون فوق نازکی بر زیر لایه ی سیلیکون رشد دهیم که یک رشد خود - محدودکننده ای را نشان داده است

نویسندگان

فرشید مفیدنخعی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساری

ماندانا رودباری

دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساری

علی پهلوان

دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساری

علی بهاری

گروه فیزیک دانشگاه مازندران، بابلسر