تأثیر پخت حرارتی بر مقاومت الکتریکی وساختار فیزیکی لایه های شبه الماس کربنی با نفوذ مس ساخته شده به روش RF-PECVD

برای ساخت لایه های نازک کربن شبه الماس بی ریخت با ناخالصی فلز از روش انباشت از فاز بخار شیمیایی با استفاده از پلاسمای ناشی از امواج رادیویی (RF ) و وارد کردن گاز استیلن استفاده کردیم . بدین ترتیب لایه های نازک کربن – مس را (Cu-DLC ) بر روی زیر لایه ی سیلیکن و شیشه رشد دادیم . پس از ساخت، لایه هادر دماهای متفاوت وزمان ثابت در حضور گاز آرگون با فشار اتمسفر باز پخت شدند . سپس به کمک طیف سنجی امواج ایکس (XRD) ، پس پراکندگی راترفورد (RBS) ، AFM و مقاومت سنجی ) ) four probe قبل و بعد از پخت ب ررسی شدند . مشاهده شد که با تغییرفشار اولیه می توان لایه هایی با مقاومت الکتریکی متفاوت داشت، با افزایش دما در باز پخت نمونه ها، ضخامت، مقاومت الکتریکی و زبری سطح کاهش می یابد . در ضمن افزایش دما تا حدی باعث رشد نانو دانه های مس می گردد .