Investigating the Role of New ZnMgO Buffer Layer in C MTS Thin Film Solar Cell: Advanced Modeling and Optimization
محل انتشار: دهمین همایش بین المللی علوم و فناوری نانو
سال انتشار: 1403
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 71
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNN10_068
تاریخ نمایه سازی: 25 اردیبهشت 1404
چکیده مقاله:
Solar cells based on C MTS (Cu۲MnSnS۴) absorbers are made of low-cost, non-toxic and stable elements on the Earth's surface and are widely studied for their high efficiency. C MTS compound is a semiconductor with a symmetrical Stenite structure. Considering the alignment of the energy bands in the structure of the solar cell, it is very important to achieve a buffer layer with a high transmission coefficient, an optimal bandgap and a suitable lattice matching. Here, the role of thickness of buffer layer in Mo/C MTS/ZnMgO/ZnO/ZnO:Al solar cell structure was investigated through ۱D-SCAPS modeling. The analysis of the result indicates that the thickness of ZnMgO buffer layer is optimal at ۷۵ nm. The values obtained from the I-V analysis indicate the achievement of VOC = ۰.۹۱ V, Jsc = ۴۰.۸۳ (mA/cm۲), FF = ۷۰.۲۴ (%) and Eff = ۲۶.۲ (%). The achieved results provide essential baselines and practical directions for the fabrication of high-efficiency C MTS absorber layer-based photovoltaic cells.
کلیدواژه ها: