ساختار نواری تک لایه های InxGa1-xNyAs1-y و بررسی خصوصیات اپتیکی آنها

سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,281

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

IPC86_243

تاریخ نمایه سازی: 20 دی 1385

چکیده مقاله:

عنصر کوچک ن یتروژن به دلیل الکترونگاتیوی بالا، با مشارکت در ساختار InGaAs عامل اساسی خصوصیالت جالب اپتیکی ساختارهای InGaNAs مـ ی باشـد . در درصد مورد بررس ی قرار گرفته است و نتا یج حاصل ب ا استفاده از ط یف نمـا یی فتولوم ینـسانس ن یـ ز 1 و 0/7 با مقدار نیتروژن InGaNAs این مقاله ن یز تک لا یه ها ی نشان داده شده است . از جمله آن کاهش گاف نوار ی تک لا یه با حضور ن یتروژن است که بد ین ترت یب م ی توان با تغییر میزان نیتروژن، در گستره طول مـوجی مـورد احتیاج برای ارتباطات مخابراتی از طریق فیبر نوری ( محدوده 1/3-1/55 میکرون ) ، گسیل نوری داشته باشیم و به عنوان یک پارامتر فعال، درصد نیتـروژن بـه همـراه نوع ساختار این نیمه رسانا، تغییرات طول موجی را برای ما امکان پذیر می سازند . علاوه بر این، به دلیل ناهموتریهای سطحی بـه وجـود آمـده در سـاختار ، از بـازده نوری نمونه کاسته م ی شود . همچن ین حضور افت و خ یزهای سطح ی جایگزیدگی اکس یتونها را ن یز سبب م ی شود که با استفاده از تغ ییرات شدت نـور گـس یلی مـ ی توان به حضور آنها پی برد

نویسندگان

مریم غلامی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد دامغان ،گروه فیزیک دانشگاه صنعتی شاهرود، بل

حمید هراتی زاده

گروه فیزیک دانشگاه صنعتی شاهرود، بلوار دانشگاه، شاهرود، انستیتوی فیز

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • S. R. Kurtz, A. A. Allerman, E. D. Jones, J. ...
  • J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, Sarah ...
  • H. P. Xin and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. ...
  • M. Weyers, M. Sato, and H. Ando, Jpn. J. Appl. ...
  • L. Grenouillet, C. B ru-Chevallier, G. Guillot, P. Gilet, P. ...
  • W. Shan, W. Walukiewicz, J. W. Ager III, E. E. ...
  • S. A. Choulis, S. Tomic, E. P. OReilly, and T. ...
  • Sho. Shirakata, Masahiko. Kondow and Takeshi. Kitatani, Appl. Phys. Lett. ...
  • A. Polimeni, M. Capizzi, M. Geddo, M. Fischer, M. Reinhadt, ...
  • R. A. Mair, J. Y. Lin, H. X. Jiang, E. ...
  • نمایش کامل مراجع