تاثیر میدان الکتریکی خارجی بر انرژی بستگی ناخالصی در سیم کوانتومی

سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,721

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

IPC86_238

تاریخ نمایه سازی: 20 دی 1385

چکیده مقاله:

انرژی بستگی ناخالصی در سیم کوانتومی مستطیلی تحت تاثیر میدان الکتریکی بررسی شده است . در این محاسبات ارتفاع سد پتانسیل محدود و از روش المان های محدود و تقریب جرم קֵ موثر استفاده گردیده است . انرژی بستگی ناخالصی بر حسب ابعاد سیم کوانتومی، میدان الکتریکی و موقعیت ناخالصی محاسبه و ترسیم گردیده اند . همچنین نشان داده شده است که با اعمال میدان الکتریکی تبهگنی ترازهای انرژی برطرف می گردد . نتایج بدست آمده در توافق خوبی با روش های قبلی می باشد .

نویسندگان

ابراهیم صادقی

گروه فیزیک، دانشگاه یاسوج ، یاسوج

سولماز موسوی

گروه فیزیک، دانشگاه یاسوج ، یاسوج