اثر ناخالصی های مغناطیسی روی ترابرد قطبیده شده اسپینی در یک سیم کوانتومی

در این مقاله اثرهای ناشی از پیکربندی های اسپینی جایگزیده که به طور کتره ای در جایگاههای اتمی درون یک سد عایق پراکنده شده اند , بر روی ترابرد الکتریکی وابسته به اسپین بررسی می شود . از این پیکربندی های جایگزیده می توان به عنوان ناخالصی های مغناطیسی تعبیر کرد . حضور و عدم حضور میدان مغناطیسی خارجی , به دلیل اثر مسقیمی که بر روی جهت گیری گشتاورهای مغناطیسی ناخالصی ها می گذارد , می تواند نتایج متفاوتی به دست دهد که مورد بررسی قرار گرفته است . از نتایج عددی مشخص است که تعداد ناخالصی های مغناطیسی که جایگاه های انرژی درون سد را اشغال کرده اند به شدت قطبش 1 سپینی و مقاومت مغناطیسی را تحت تاثیر قرار می دهد . سد با الکترودهای نانوکریستالی که با ساختار مکعبی ساده توصیف می شوند , از چپ و راست احاطه شده است . محاسباتمان مبتنی بر مدل بستگی قوی و روش تابع گرین در فرمولبندی لاندائور بوده است . نتایج بدست آمده می تواند برای طراحی نسل جدید ادوات الکترونیکی مفید باشد