بررسی و مقایسه خازن حاشیه ای گیت های فلزی و پلی سیلیکون در افزاره های نانومتری SOI
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1386
سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,583
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC86_220
تاریخ نمایه سازی: 20 دی 1385
چکیده مقاله:
در این مقاله اثر خازن حاشیه ای فلزی و پلی سیلیکون بر روی خازن موثر گیت در افزاره های نانومتری SOI بررسی شده است . با استفاده از یک مدل تحلیلی نشان داده می شود که اثر خازن حاشیه ای گیت های پلی بر روی خازن موثر گیت بیش از تاثیر خازن حاشیه ای گیت های فلزی می باشد و با مقیاس شدن افزاره های نانومتری این تاثیر بیشتر می گردد . برای مدل کردن خازن حاشیه ای گیت های فلزی و پلی سیلیکون از شیوه نگاشت همدیس استفاده شده است .
نویسندگان
امیر جهانشاهی
دانشکده برق و کامپیوتر ، دانشگاه تهران ، تهران ، ایران
سیدمنوچهر حسینی
دانشکده برق و کامپیوتر ، دانشگاه تهران ، تهران ، ایران
بهزاد اسفندیار پور
دانشکده برق و کامپیوتر ، دانشگاه تهران ، تهران ، ایران
علی افضلی کوشا
دانشکده برق و کامپیوتر ، دانشگاه تهران ، تهران ، ایران