نانو ساختار نیترید سیلیکون در نانو قطعات الکترونیکی

سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,018

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

IPC86_211

تاریخ نمایه سازی: 20 دی 1385

چکیده مقاله:

رشد کوچک شدگی سریع ضخامت گیت دی الکتریک باعث شده است تا اکسید سیلیکون فوق نازک را نتوان به عنوان گیت دی الکتریک مناسب در ترانزیستور های آتیCMOSدانست از جمله مواد جانشین نیترید سیلیکون است که داده های سیکروترونی و تجزیه و تحلیل ساختار فیلم مزبور با Fitxps نشان داده شده است که از لایه میانی ( آمورف ) با زیر لای های سیلیکون برخوردار است . چون لایه آمورف باعث کاهش جریان تونل زنی ونشتی می شود می تواند به عنوان یک گیت دی الکتریک مناسب باشد

نویسندگان

مینا اطیابی

گروه فیزیک دانشگاه مازندران،بابلسر ،دانشکده علوم پایه

مسهر باقری

گروه فیزیک دانشگاه مازندران،بابلسر ،دانشکده علوم پایه

مسعود امیری

گروه فیزیک دانشگاه مازندران،بابلسر ،دانشکده علوم پایه

رحمت ا... فرهنگ راد

گروه فیزیک دانشگاه مازندران،بابلسر ،دانشکده علوم پایه

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • -A.B ahari _ U.Robenhagen, P. Morgen, Z.Li , Growth of ...
  • temp erature, Phys _ Rev. B 72, 205 323(2005) ...
  • P. Morgen, A. Bahari et al, New roads to ultra ...
  • _ P.Mrgen, A.Bahari K.Pedreson ;NATO(2006), springer ...
  • P.Morgen, A .Bahari et al , Ultra thin _ on ...
  • A.Bahari and P.Morgen , Valence band _ nitride lyer, Surface ...
  • نمایش کامل مراجع