شبیه سازی مونتو کارلو از خواص ترابرد الکترونها در ترانزیستور اثر میدان SiC برای طراحی مدارات با بهره های بالا

سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,382

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

IPC86_093

تاریخ نمایه سازی: 20 دی 1385

چکیده مقاله:

شبیه سازی مونتو کارلو برای ترابرد الکترونها در حالات پایدار ترانزیستور اثر میدان ساخته شده از ماده SiC انجام پذیرفته است . مشخصه های ترابرد الکترونها و برای ترانزیستور شبیه سازی شده توافق خوبی را با نمونه های آزمایشگاهی نشان می دهد . مشخصه های خروجی جریان درین بر حسب ولتاژ اعمالی I-Vنمودار به درین - سورس نشان دهنده اندازه جریان خروجی بزرگی برای نمونه شبیه سازی شده است ..

نویسندگان

هادی عربشاهی

گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم سبزوار