شبیه سازی مونتو کارلو از خواص ترابرد الکترونها در ترانزیستور اثر میدان SiC برای طراحی مدارات با بهره های بالا
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1386
سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,393
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC86_093
تاریخ نمایه سازی: 20 دی 1385
چکیده مقاله:
شبیه سازی مونتو کارلو برای ترابرد الکترونها در حالات پایدار ترانزیستور اثر میدان ساخته شده از ماده SiC انجام پذیرفته است . مشخصه های ترابرد الکترونها و برای ترانزیستور شبیه سازی شده توافق خوبی را با نمونه های آزمایشگاهی نشان می دهد . مشخصه های خروجی جریان درین بر حسب ولتاژ اعمالی I-Vنمودار به درین - سورس نشان دهنده اندازه جریان خروجی بزرگی برای نمونه شبیه سازی شده است ..
نویسندگان
هادی عربشاهی
گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم سبزوار