مدلسازی OpenMXساختار نواری نیمه رساناهایSi1-xAsx

سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 902

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

IMES07_034

تاریخ نمایه سازی: 28 آذر 1392

چکیده مقاله:

در این پروژه، خصوصیات ساختاری و الکترونی نیمه رساناهای Si1-xAsxبا استفاده از از نظریه تابعی چگالیDFT)و به کمک نرم افزار 3.5OpenMX موردبررسی قرار گرفته است. به منظور طراحی یک مدل مناسب، ساختارهای مختلف شبکه اتمی سلیسیوم و شبکه های مختلف نیمه رساناهایSi1-xAsxدر این پروژه طراحی شده اند. در ابتدا ساختار کریستالی و شبکه وارون این ساختارها مورد بررسی قرار گرفته اند. نتایج ساختار نواری نشان می دهند که مدل 2 اتمیسلیسیوم خالص دارای گپ غیر مستقیم با انرژی گپ 1.1 الکترون ولت می باشند که این ساختار نواری کاما منطبق با ساختار های مشاهده شده در منابع می باشد. طراحی مدل ساختار نواری سلیسیوم خالص بسیار وابسته به طراحی تعداد اتم های شبکه می باشد، به طوری که با افزایش تعداد اتم ها، افزایش دانسیته نواری قابل مشاهده است. در ادامه ساختارهای نواری نیمه رساناهایSi1-xAsxمختلف مدل شده اند. گرچه سیلیسیوم خالص حالت نیمه رسانا دارد، با دوپ کردن اتم ناخالصی آرسنیک به زمینه، پهنای گاف انرژی کمتر و خواص نیمه رسانایی بیشتر شده است. در اثر دوپ کردن ناخالصی Asدر ساختار، گپ انرژی مستقیم می شود و کاهش انرژی گپ نیر مشاهده می شود که بیانگر افزایش قابلیت رسانایی ماده پس از اضافه شدن اتم ناخالصی است. در نمونه های با درصدزیاد دوپانت )نمونه 0.25Si0.75-As انتقال به حالت رسانایی مشاهده شده است

کلیدواژه ها:

نیمه رساناهای Si1-xAsxنرم افزار 3.5 OpenMX /ساختار نواری ، تعداد اتم های شبکه

نویسندگان

حسین بیگی

استاد، گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه فردوسی مشهد

رضا قندهاری

دانشجویان دکتری تخصصی، گروه مهندسی مواد و متالورژی، دانشکده مهندسی، دانشگاه فردوسی مشهد

هادی نصیری

دانشجویان دکتری تخصصی، گروه مهندسی مواد و متالورژی، دانشکده مهندسی، دانشگاه فردوسی مشهد

جلال میرعباسی

دانشجویان دکتری تخصصی، گروه مهندسی مواد و متالورژی، دانشکده مهندسی، دانشگاه فردوسی مشهد

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • D. Christoph Mueller, E. Alonso, W. Fichtner, Arsenic deactivation in ...
  • R.I.G. Uhrberg, R.D. Bringans, R.Z. Bachrach, J.E. Northrup, Electronic and ...
  • M.A. Olmstead, R.D. Bringans, R.I.G. Uhrberg, R.Z. Bachrach, Arsenic overlayer ...
  • R.I.G. Uhrberg, R.D. Bringans, M.A. Olmstead, R.Z. Bachrach, J.E. Northrup, ...
  • M. Copel, R.M. Tromp, U.K. Kihler, Atomic structure of the ...
  • S. Li Sheng, Semiconductor Physical Electronics, Second Edition, (2006) Springer ...
  • S. Boker, M. Neale, H. Maes, M. Wilde, M. Spiegel, ...
  • Psychometrika, 76 (2011) 306-317. ...
  • K. Raghavachari, C. M. Rohlfing, Bonding and stabilities of small ...
  • John E. Northrup, Theoretical studies of arsine adsorption on Si(100), ...
  • K. Zellat, B. Soudini, N. Sekkal , S. M. Ait ...
  • Abdelkader Kara, Hanna Enriquez, Ari P. Seitsonen, L.C. Lew Yan ...
  • James R. Chelikowsky and Marvin L. Cohen, Electronic structure of ...
  • Fischetti, M.V., Band structure, deformation potentials, and carrier mobility in ...
  • L.S.O. Johansson, R.I.G. Uhrberg, P. Martensson, G.V. Hansson, Surface-state band ...
  • surfaces, Physical Review B, 42 (1990) 1305-1315. ...
  • M. Rohlfing, P. Kriger, J. Pollmann, Quasiparticle band- structure calculations ...
  • J.D. Joannopoulos, M.L. Cohen, Electronic Properties of Complex Crystalline and ...
  • S.F. Fang, K. Adomi, S. Iyer, H. Morkoc, H. Zabel, ...
  • S. Richard, F. Aniel, G. Fishman, Energy-band structure of Ge, ...
  • Abram R A, Childs G N, Saunderson, P A, Band ...
  • C H Patterson, D Weaire and J F McGilp, Bond ...
  • L.M. Falicov, S. Golin, Electronic Band Structure of Arsenic. I. ...
  • C. Salm, D. T. van Veen, D. J. Gravesteijn, J. ...
  • Applications, J. Electrochem. Soc. 144 (1997), 3665- ...
  • L. Via, M. Cardona, Effect of heavy doping on the ...
  • G. S. Cargill, II J. Angilello, and K. L. Kavanagh, ...
  • نمایش کامل مراجع