شبیه سازی و بهینه سازی دیود گسیل نوری مبتنی بر ساختار کوانتومی نیمه های InGaN

در این تحقیق دیودهای نور گسیل (LED) مبتنی بر ساختار کوانتومی بررسی شده اند. در ابتدا اثر ترکیب و درصد عناصر نیمه هادی InxGa۱−xN بر گسیل و شیفت طول موجی دیود بررسی شده و مشاهده شد که طول موج گسیلی با تغییر ترکیب و با در نظر گرفتن اثر انحنا تغییر می کند. در ابعاد کوانتومی بر اساس اثر حبس کوانتومی استارک کار می کنند. در نیمه هادی های مبتنی بر مواد نیتریدی پررنگ شده و بنابراین در این تحقیق، اثر ضخامت لایه فعال بر ولتاژ روشن شدن و نیز طیف گسیلی بررسی شده است و نتایج به دست آمده نشان می دهد که ضخامت لایه فعال تاثیر چشم گیری بر شدت و طول موج گسیل دیود نوری دارد.

کلیدواژه ها:

دیود گسیل نوری ، اثر حبس کوانتومی استارک ، ترکیبات گروه سه-پنج