تاثیر دما بر روی خواص اپتیکی و ساختاری لایه های نازک اکسید تنگستن تولیدشده به روش تبخیر حرارتی

در این پژوهش، پودر تری اکسید تنگستن (WO۳) با ضخامت ۲۰۰ نانومتر به روش رسوب بخار فیزیکی به صورت تک مرحله ای بر روی زیر لایه هایی از جنس الم آزمایشگاهی در فشار پایه ای حدودا ۱۰-۵ mbar. لایه نشانی شدند و سپس الیه های سنتز شده در محیط آرگون به مدت یک ساعت در دماهای ۲۰۰°C، ۴۰۰°C و ۵۰۰°C بازپخت شدند. مشخصه یابی فیلم های نازک مورد نظر با استفاده از طیف سنجی مرئی - فرابنفش و طیف سنجی فتولومینسانس و همچنین XRD برای بررسی ساختاری فیلم های تولیدی صورت گرفت. تغییرات گاف نواری اپتیکی در دماهای بازپخت متفاوت در این پژوهش گزارش شده است.

کلیدواژه ها:

تری اکسید تنگستن ، رسوب بخار فیزیکی ، فیلم نازک ، گاف نواری ، طیف سنجی