تاثیر دمای پخت لایه W اسپاتر شده در رشد نانو میله های W17O47

در این تحقیق ، برای اولین بار نانومیله های اکسید تنگستن با حرارت د ادن لایه نازک تنگستن که با روش اسپاترینگ مغناطیسی DC بر روی سطح زیرلایه میکا لایه دقیقه ) رشد داده 120 به مدت N2 در محیط گاز 9000 C دقیقه و دمای 15 به مدت H2 در محیط گاز 7000 C نشانی شده، در شرایط مشخص و کنترل پذیر ( دمای به ترتیب ریخت شناسی ،شکل ، ابعادو توزیع آنهادر سـطح شدند . با استفاده ازتکنیک میکروسکوپی الکترونی روبشی SEM و همچنین پراش اشعه (XRD )X ( به ریخت شناسی ،شکل ، ابعادو توزیع آنهادر سـطح و همچنین تعیین فازها و ساختار کریستالی نانو میله ها بررسی گردید . بر اساس تحلیل نتایج بدست آمده از آنالیز های فوق، نانو میله های سـنتز شـده توسـط ایـن روش دارای طول 1-5 µm و پهنای 70 -200 nm می باشند و جهت کریستالی آنها در راستای (400) تعیین شد .