بررسی خواص الکترونی ، اپتیکی و ترموالکتریکی نانو لوله های WSe۲(۸,۰)و WSeS(۸,۰)

بر اساس محاسبات تئوری تابعی چگالی، خواص الکترونیکی، نوری و ترموالکتریک نانولوله های WSe۲(۸,۰) و WSeS(۸,۰) مورد بررسی قرار گرفته اند. نانولوله WSe۲(۸,۰) دارای شکاف انرژی ۰.۲eV است و این شکاف با افزودن یک اتم Se در آن کاهش می یابد. ساختار نوار نشان می دهد که نانولوله WSe۲(۸,۰) نیمه هادی نوع p و ترکیب WSeS(۸,۰) از نوع n است. بخش موهومی تابع دی الکتریک نشان می دهد که این دو ساختار در ناحیه مادون قرمز پاسخ اصلی به نور دارند و دارای شکاف های نوری کوچکی هستند، در حالی که توابع اتلاف انرژی نوری کمترین مقدار را در این ناحیه انرژی دارند. در دمای ۲۰۰ کلوین، رقم ضریب مریت نانولوله WSeS(۸,۰) بزرگتر از WSe۲(۸,۰) است، اما در دماهای بالا ضریب توان نانولوله WSe۲(۸,۰) بیشتر است. که نشان می دهد این مورد برای ژنراتورهای برق مناسب است.

کلیدواژه ها:

نظریه تابعی چگالی ، الکترونیک ، اپتیک