مروری بر ترانزیستورهای لایه نازک گرافنی و مزایای آن ها نسبت به ترانزیستورهای سیلیکونی

سال انتشار: 1403
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 38

فایل این مقاله در 15 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ECICONFE09_144

تاریخ نمایه سازی: 20 فروردین 1404

چکیده مقاله:

ترانزیستورها به عنوان اجزای کلیدی مدارهای مجتمع، نقش اساسی در توسعه فناوری الکترونیک دارند. با کوچک تر شدن ابعاد ترانزیستورهای سیلیکونی، مشکلاتی نظیر اثرات کوتاه کانال، افزایش نشت جریان و کاهش بهره وری عملکرد پدیدار شده اند. در سال های اخیر، گرافن به دلیل ویژگی های منحصربه فردی همچون تحرک الکترونی بالا، ضخامت نانومتری، هدایت حرارتی مناسب و انعطاف پذیری مکانیکی، به عنوان جایگزینی برای سیلیکون در ساخت ترانزیستورهای لایه نازک مطرح شده است. در این مقاله، ابتدا به بررسی محدودیت های ترانزیستورهای سیلیکونی پرداخته می شود و سپس خواص فیزیکی و الکترونیکی گرافن و مزایای آن در فناوری ترانزیستورهای لایه نازک مورد تحلیل قرار می گیرد. در ادامه، تحقیقات انجام شده پیرامون ترانزیستورهای گرافنی مرور شده و چالش های موجود در مسیر تجاری سازی این فناوری مورد بررسی قرار می گیرد. در نهایت، مسیرهای تحقیقاتی آینده برای بهبود عملکرد و تولید انبوه این ترانزیستورها پیشنهاد می شود.

نویسندگان

مائده پاپی

کارشناسی ارشد برق الکترونیک