تکنولوژی ساخت ترانزیستور پنج نانومتری

ترانزیستورهای نانومتری یکی از مهمترین دستاوردهای نانوالکترونیک در سالهای اخیر است که به طور عمده در صنعت الکترونیک به کار می روند. این ترانزیستورها به دلیل ابعاد بسیار کوچکی که دارند، می توانند عملکرد بهتری را نسبت به نسل های قبلی ارائه دهند و در عین حال مصرف انرژی را کاهش دهند. در این فناوری، از تکنیک نیتوگرافی لیتوگرافی، به ریژه لیتوگرافی موجودیتی بسیار دقیق را می کارسازی استفاده می شود. ترانزیستورهای نانومتری متموعا به طرح هایی مانند FinFET یا Gate-All-Around (GAA) استفاده می کنند. این طرح ها به طور چشمگیری عملکرد و بهره وری را بهبود می بخشند. در طراحی FinFET، الکترودها به نوعی عمودی یا افقی متصل می شوند، در حالی که در طراحی GAA، الکترودها به طور کامل اطراف ناحیه فعال ترانزیستور قرار می گیرند که باعث کنترل بهتر جریان الکتریکی و کاهش جریان می شود. با این فناوری، چگالی ترانزیستورها به طور چشمگیری افزایش می یابد که به منظور قرار دادن تعداد بیشتری ترانزیستور در یک تراش امکان پذیر است. این افزایش چگالی موجب بهبود عملکرد نانوالکترونیک، کاهش تاخیرات و افزایش سرعت نانوالکترونیک می شود. اما، با ابعاد ترانزیستورها، مصرف انرژی به طرز قابل توجهی افزایش می یابد که این امر برای دستگاه هایی که نیاز به کارکرد با مصرف انرژی نیازمند دارند، بسیار حائز اهمیت است. در مقیاس نانومتری، این فناوری در تولید تراشه های مورد استفاده در دستگاه های موبایل، صنعت الکترونیک، تراشه های ابری و اینترنت اشیا کاربرد دارد. اما جنجالی که نیاز به نردهای نیرویدار رسترعی با تر در حال افزایش است، ترانزیستورهای نانومتری نقش استراتژیک در برقراری این نیازها دارند. علاوه بر این، این فناوری به سازندگان تراشه ها این امکان را می دهد که محصولات کوچکتر، سبکتر با عملکرد بهتر تولید کنند.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور نانومتری ، لیتوگرافی ، FinFET ، Gate-All-Around ، نانوالکترونیک ، چگالی ترانزیستور ، مصرف انرژی ، تراشه های نانومتری