فرایند اکسیداسیون در نیمه هادی ها: از تئوری تا پیشرفت ها
محل انتشار: پنجمین کنفرانس بین المللی هوش مصنوعی و چشم انداز آینده آن در علوم مهندسی برق ، کامپیوتر ، مکانیک و مخابرات
سال انتشار: 1403
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 79
فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICCPM05_050
تاریخ نمایه سازی: 17 فروردین 1404
چکیده مقاله:
اکسیداسیون در نیمه هادی ها یک فرآیند کلیدی در تولید و عملکرد دستگاه های الکترونیکی است. این فرآیند شامل واکنش نیمه هادی با اکسیژن برای تشکیل یک لایه اکسید است. این لایه اکسید می تواند خواص الکتریکی و فیزیکی نیمه هادی را بهبود بخشد و به عنوان یک عایق الکتریکی، محافظت از سطح نیمه هادی، و بهبود عملکرد دستگاه های الکترونیکی عمل کند. اکسیداسیون نقش حیاتی در فناوری هایی مانند ترانزیستورهای اثر میدان (FET)، دیودها، و سلول های خورشیدی ایفا می کند. فرآیند اکسیداسیون می تواند تحت شرایط مختلفی مانند دما، فشار، و ترکیب گازها کنترل شود تا ویژگی های مطلوبی به دست آید. در نتیجه، درک دقیق و کنترل این فرآیند برای بهبود کارایی و قابلیت اطمینان دستگاه های نیمه هادی بسیار مهم است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محمد جلالی زاده
دانشجوی ارشد دانشگاه جامع امام حسین (ع)
سید محمد علوی
دانشیار دانشگاه جامع امام حسین (ع)