یکپارچه سازی MOSFET

در این فصل ما به بررسی بعضی از مسائل اساسی طراحی فرآیند MOS شامل کنترل طول کانال، قواعد پایه طرح بندی زمین، طراحی قواعد پایه، ولتاژ شکست درین-سورس، ولتاژ رخنه درونی و تنظیم ولتاژ آستانه می پردازیم. درباره فناوری گیت-فلز قبلا بحث شده است و مهمترین مزیت فناوری های گیت-سیلیکون خودتنظیم ارائه شده است. تشریح مطالب فناوری های سیلیکون بر روی عایق و CMOS تکمیل کننده این فصل خواهند بود.