فرایند نفوذ در نیمه هادی ها: از تئوری تا پیشرفت ها

نفوذ (Diffusion) یکی از فرآیندهای اساسی در فناوری نیمه هادی ها است که برای تغییر خواص الکتریکی مواد با واردکردن اتم های ناخالصی (دوپانت) به ساختار بلوری سیلیکون یا دیگر نیمه هادی ها استفاده می شود. این فرآیند معمولا در مراحل ساخت دستگاه های نیمه رسانا مانند ترانزیستورها، دیودها و مدارهای مجتمع (IC) به کار می رود تا نواحی p-type و n-type ایجاد شود. نفوذ به دو روش اصلی انجام می گیرد. نفوذ حرارتی (Thermal Diffusion): با اعمال دمای بالا (معمولا ۸۸۰ تا ۱۲۸۸ درجه سانتیگراد)، اتم های ناخالصی درون شبکه بلوری سیلیکون پخش می شوند. سرعت و عمق نفوذ به عواملی مانند دما، زمان و اندازه اتم های ناخالصی بستگی دارد.

کلیدواژه ها:

نفوذ ، نیمه هادی ، دوپانت ، بلوری سیلیکون ، ترانزیستور ، دیود ، مدار مجتمع ، اتم ناخالص ، p-type ، n-type ، نفوذ حرارتی