ارائه روشی برای افزایش نرخ چرخش تقویت کننده عملیاتی دو طبقه

تقویت کننده های عملیاتی عنصر اساسی بسیاری از سیستم های آنالوگ و دیجیتال هستند. تقویت کننده های عملیاتی دوطبقه به دلیل توانایی در تامین بهره ولتاژ بالا و محدوده دینامیکی مناسب، از جایگاه ویژه ای در طراحی مدارات آنالوگ مانند فیلترها، مبدل ها و تقویت کننده های دقیق برخوردارند. با این حال، یکی از چالش های اصلی در این ساختارها، محدودیت نرخ چرخش است که مستقیما بر سرعت پاسخ دهی و عملکرد دینامیکی مدار تاثیر می گذارد. در این مقاله، روشی نوین برای افزایش نرخ چرخش در تقویت کننده عملیاتی دوطبقه ارائه شده است. شبیه سازی مدار پیشنهادی در فن آوری ۱۸/۰ میکرومتر و با استفاده از ولتاژ تغذیه ۸/۱ ولت انجام میشود. مقدار پهنای باند مدار ۵۵۵ مگاهرتز، سوئینگ خروجی ۸/۲ ولت پیک تا پیک و مقدار نرخ چرخش ۷۴۰ V/μs می باشد. نتایج شبیه سازی بیانگر افزایش نرخ چرخش و کارایی مورد قبول مدار پیشنهادی نسبت به ساختارهای موجود می باشد.

کلیدواژه ها:

واژه های کلیدی : تقویت کننده عملیاتی دوطبقه ، نرخ چرخش ، پهنای باند ، طراحی مدار آنالوگ CMOS