مروری بر ترانزیستورهای FET نسبت به ترانزیستورهایBJT
سال انتشار: 1403
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 106
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ECME25_007
تاریخ نمایه سازی: 21 اسفند 1403
چکیده مقاله:
اولین ترانزیستور در سال۱۵۹۱عرضه شد و میتوان آن را به عنوان یکی از مهمترین اختراعات قرن بیستم در نظر گرفت. این المان نیمه هادی به سرعت در حال توسعه است و تا امروز انواع مختلفی از ترانزیستورها معرفی شده است.ترانزیستور می توان با اعمال تغییر در یک سیگنال کوچک به عنوان ورودی، تغییراتی در یک سیگنال بسیار بزرگتر به عنوان خروجی را انجام داد.ترانزیستورهای ماسفت وبیجیتی هر دو جزو قطعات نیمه هادی الکترونیکی هستند.که می توانند.به عنوان کلید یا تقویت کننده در مدارات الکترونیک استفاده می شود.اولین نوع ترانزیستورBJT (ترانزیستور پیوند دو قطبی) است و ماسفت (ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی اکسید فلز) نوع دیگری از ترانزیستور است.در این مقاله به بررسی مقایسه اصلی بین ترانزیستور بیجیتی(BJT)و ترانزیستور (MOSFET) میپردازیم.
نویسندگان
احمدرضا بنی شریف
کارشناسی ارشد، گروه برق- الکترونیک ، مرکز آموزش عالی علمی کاربردی تعاونی پیام شهرکرد و سازمان آموزش فنی و حرفه ای
محمد قائدی
دانشجوی کارشناسی، مهندسی فناوری- الکترونیک صنعتی، مرکز آموزش عالی علمی کاربردی تعاونی پیام شهرکرد
