طراحی مدارمرجع ولتاژ درولتاژهای تغذیه کمتر از1ولت باتوان مصرفی کمتر از200 میکرووات
محل انتشار: پنجمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 678
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE05_101
تاریخ نمایه سازی: 3 آذر 1392
چکیده مقاله:
دراین مقاله طراحی مدارهای مرجع ولتاژ درولتاژهای پایین و تکنولوژی نانومترCMOS بررسی شده درنهایت یک مدارجدید مرجع ولتاژ با استفاده ترانزیستورهای CMOS و مقاومت برای ایجادیک مرجع ولتاژ دقیق بدون استفاده ازترانزیستورهای BJT ارایه شدها ست اینامرمنجر به کاهش توان مصرفی و همچنین سطح تراشه اشغالی آن شده است نحوه عملکردمدارپیشنهادی براساس تفوت ولتاژ استانه که درنتیجه اختلاف طول کانال ترانزیستورMOS درتکنولوژیهای نانومتر متفاوت انتخاب شوند حاصل شده است لذا ازاین خاصیت ترانزیستورهای MOS و همچنین بایاس آنها درناحیه وارونگی ضعیف استفاده شدها ست همچنین درمدارپیشنهاد شده برای کاهش توان مصرفی و سطح تراشه ازتعداد مقاومت های کمتری درمقایسه با کارهای قبلی استفاده شده است مدارارایه شده درتکنولوژی 90نانومتر CMOS پیاده سازی شده و بانرم افزارHSPICE شبیه سازی شده است تمام شبیه سازی ها بادرنظرگرفتن تغییرات دمایی بین -40تا85درجه سانتیگراد و نتایج آنها گزارش شده است
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سیمین سلیمان منش
دانشگاه آزاد اسلامی واحد قزوین
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :