دیودهای رانشی با بازیافت پله ای

سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 741

فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICEEE05_040

تاریخ نمایه سازی: 3 آذر 1392

چکیده مقاله:

باتوجه به طراحی افزارهای قدرت مختلف پیشرفت زیادی درزمینه ساخت این افزارها صورت گرفته است ولی باتوجه به محدودیت توان افزارهای قدیمی و عدم کاربرد آنها درساخت ژنراتورهای پالسی توان بالا نوع جدیدی ازافزاره قدرت نیمه هادی تحت عنوان دیودهای رانشی با بازیافت پله ای Drift DSRD Step Recovery Diode یا کلیدبازشونده نیمه هادی تولید شد این دیود یک کلیدبازشونده نیمه هادی است ودارای خصوصیات توان بسیاربالا درحدمگاوات اندازه کوچک تکرارپذیری بالا ودرعین سادگی مدارراه انداز می باشد دراین مقاله به بررسی ساختارفیزیکی دیودDSRD و عملکرد آن پرداخته میشود.

کلیدواژه ها:

کلیدهای بازشونده ، دیودهای رانشی با بازیافت پله ای ، ژنراتورهای نانوثانیه ای توان بالا ، پلاسما ، ناحیه بارفضایی

نویسندگان

مرتضی فتحی پور

عضو هیات علمی دانشگاه تهران

محمود نیکوفرد

عضو هیات علمی دانشگاه کاشان

سیمین حسینی

کارشناس ارشد

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • I. V. Grekhov, S V. Korotkov, and P. B. Rodin, ...
  • P. Rodin, A. Rodina, and I. Grekhov, :Feld- enhanced ionization ...
  • P. Rodin, U. bert, W. Hundsdorfer, and I. Grekhov, :0Tunneli ...
  • S K. Lyubutin, S N. Rukin, B. G. sovikovsky, and ...
  • using the tunneli ng-assted impact ionization front in a silicon ...
  • S N. Rukin, E A. Alichkin, S K. Lyubutin, G. ...
  • basedsw itching, " in Hoc. 13th IEEE Int. PuIsed Power ...
  • CircuitM ethod. Hoboken, Nd Wiley, 2009, ch. 2. ...
  • SIvaco Athena uSeer manual, Slicon Valley Company , 2009. ...
  • نمایش کامل مراجع