طراحی تقویتکننده کم نویز با خطینگی باال و استفاده از ساختار مکمل با تغذیه مجزا
محل انتشار: سومین کنفرانس ملی انرژی، اتوماسیون و هوش مصنوعی
سال انتشار: 1403
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 99
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
PSAIC03_029
تاریخ نمایه سازی: 16 اسفند 1403
چکیده مقاله:
در این مقاله هدف طراحی یک تقویتکننده کم نویز با خطی بالا و استفاده از ساختار مکمل با تغذیه مجزا برای باند فرکانسی ۶/۰۱-۱/۳ GHz در فناوری ۹۰nm CMOS است. عملکرد مطلوبی از نظر نویز و خطیگی داشته و از نظر سطح مصرفی بسیار مناسب می باشد. در مدار، یک ساختار مکمل با تغذیه مجزا استفاده شده که از نظر نویز و خطیگی عملکرد مطلوبی داشته و از نظر سطح مصرفی بسیار مناسب می باشد. در مدار، جهت بالا بردن تطبیق ورودی و خروجی از ایده آل سازی اسفاده شده که تا ادوات ایدال اسفاده شده در گرهای مدار با ولت بیشتری قابل تنظیم باشد. با ایجاد ایده آل سازی در گرهای مدار، ضریب نویز کاهش یافته و سطح فرکانسی بالاتری بدست خواهد آمد. همچنین ساختار مکمل با تغذیه جداگانه ترانزیستورهای NMOS و PMOS ایده آل امکان را می دهد که بتوان نویز باند مدار را به خوبی کنترل کرد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محمدمهدی فرهاد
گروه مهندسی برق، واحد زرندیه، دانشگاه آزاد اسالمی، زرندیه، ایران