شبیه سازی اثرات دما و میدان مغناطیسی بر چگالی حالات سطحی در هتروساختارهای نیم رسانا

در این مقاله، خواص فیزیکی سطح ماده CdS/ Si (p)  تحت تاثیر میدان مغناطیسی مورد بررسی قرار گرفته است. وابستگی چگالی حالات سطحی نیمه رسانای نوع p Si(p)  به میدان مغناطیسی و دما مطالعه شده است. برای اولین بار، یک مدل ریاضی برای تعیین وابستگی دمایی چگالی حالات سطحی یک نیم رسانا، تحت میدان مغناطیسی قوی توسعه داده شده است.مدل سازی فرایندها با استفاده از داده های تجربی طیف انرژی پیوستهسیلیکون انجام شده است . مقادیر تجربی فوق در دماهای پایین و میدان های مغناطیسی قوی در گاف نوار سیلیکون به دست آمده اند. امکان محاسبه سطوح انرژی گسسته نشان داده شده است.

کلیدواژه ها:

چگالی حالات سطحی ، میدان مغناطیسی ، هتروساختار ، ترازهای عمیق مشخصه ولتاژ- ظرفیت ، مدل سازی ریاضی