بررسی امکان سنجی استفاده از نانولوله های P۲SiS، As۲GeSe و As۲GeTe در نسل جدید ترانزیستورها

این پژوهش با استفاده از روش ابتدا به ساکن در چارچوب نظریه تابعی چگالی و توسط بسته محاسباتی کوانتوم اسپرسو در تقریب شیب تعمیم یافته انجام شده است. ویژگی های ساختاری همچون ثابت شبکه، انرژی کرنش و انرژی نسبی تشکیل و ویژگی الکترونی مانند ساختار نواری برای سه ساختار دسته مبلی نانوورقه های P۲SiS، As۲GeSeو A۲GeTe و نانولوله این ترکیبات با ساختار دسته مبلی (۱۰،۱۰) مورد بررسی قرار گرفته است و با توجه به ویژگی های الکتریکی منحصر به فرد نانولوله این ترکیبات در ترانزیستورها، ویژگی های الکتریکی آنها با نانولوله کربنی مقایسه شده است. همچنین برای نانولوله A۲GeTe به ازای ساختارهای دسته مبلی (۴،۴)، (۶،۶)، (۸،۸) و (۱۰،۱۰) ساختار نواری رسم گردیده است و در ادامه ساختار نواری نانوورقه های P۲SiS، As۲GeSe و A۲GeTe با ساختار نواری گرافن مقایسه گردیده است. نتایج به دست آمده نشان می دهد که ساختار نواری نانوورقه ها و نانولوله های این ترکیبات، گاف نواری را به دست می دهد. بنابراین همه ترکیبات ذکرشده، نیمرسانا می باشند. همچنین از بررسی قطرهای مختلف نانولوله های دسته مبلی ترکیب A۲GeTe، ساختارهای نواری بسیار نزدیک به یکدیگر به دست آمده است. که این موید گاف نواری تقریبا یکسانی به ازای قطرهای مختلف برای نانولوله A۲GeTe ست. دو عامل نیمرسانایی و ثابت ماندن گاف نواری نانولوله های P۲SiS، As۲GeSe و A۲GeTe دو مزیت مهم استفاده از این نانولوله ها به جای نانولوله های کربنی در ترانزیستورها است.

کلیدواژه ها:

نانولوله ، نانوورقه ، ترانزیستور ، MOSFET.