بررسی میزان افزایش انتقال حرارت در کلکتور فتوولتائیک صفحه تخت با کانال های خنک کننده موازی زیگ زاگ توسط شبیه سازی CFD
محل انتشار: هجدهمین کنگره ملی مهندسی شیمی ایران
سال انتشار: 1403
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 28
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NICEC18_053
تاریخ نمایه سازی: 13 بهمن 1403
چکیده مقاله:
سلول فتوولتائیک، انرژی تشعشی خورشید را به انرژی الکتریکی تبدیل میکند. تابش به سطح فتوولتائیک، باعث افزایش دماسلول فتوولتائیک شده، و کاهش بازده سیستم فتوولتائیک را به همراه دارد. در این مقاله توسط شبیه سازی دینامیک سیالاتمحاسباتی (CFD) ساختار جدیدی از یک کلکتور حرارتی در جذب انرژی حاصل از عملکرد سلول فتوولتائیک مورد بررسی قرار گرفت. هندسه اصلی یک کلکتور فتوولتائیک صفحه تخت با کانال خنک کننده زیگ زاگ توسط سیال آب در محدوده رینولدزجریان آرام در زیر صفحه میباشد. در این مقاله جهت بررسی اثر ورودی و خروجی کانال بر میزان افزایش انتقال حرارت، سهشکل ورودی و خروجی کانال A (ورودی و خروجی در دو سمت کلکتور)، کانال B (ورودی و خروجی یک سمت کلکتور) و کانال C (ورودی و خروجی بالا و پایین کلکتور) در نظر گرفته شد. نتایج شبیه سازی CFD نشان داد کانال طراحی شده نوع C با توجه به الگوی مناسب جریان سیال توزیع همگن تری از دما در نقاط مختلف سلول خورشیدی و جذب انرژی حرارتی بیشتر نسبت به دو کانال A و B را به همراه دارد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سینا طالبی
دانشجوی کارشناسی ارشد، رشته مهندسی شیمی، گرایش طراحی فرآیندها، دانشکده مهندسی شیمی، نفت و گاز دانشگاه سمنان، ایران
فرامرز هرمزی
استاد دانشکده مهندسی شیمی، نفت و گاز، دانشگاه سمنان، ایران
امیر حیدری
استادیار دانشکده مهندسی شیمی، نفت و گاز، دانشگاه سمنان، ایران
سامان رشیدی
استادیار دانشکده مهندسی هوا فضا، دانشگاه سمنان، ایران
