طراحی یک سلول کمپرسور۴ به ۲ با استفاده از فناوری ترانزیستورهای نانولوله کربنی

سال انتشار: 1403
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 171

فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_ARPR-5-3_005

تاریخ نمایه سازی: 23 دی 1403

چکیده مقاله:

با پیشرفت فناوری در زمینه الکترونیک، نیاز به سرعت پردازش و ذخیره سازی اطلاعات افزایش یافته است. با افزایش مقیاس بندی فناوری ترانزیستور اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلز (ماسفت) ، صنعت این فناوری با چالش-های گوناگونی از جمله افزایش تاثیرات اتصال کوتاه، کاهش کنترل گیت، افزایش جریان نشتی بصورت نمایی و اتلاف توان روبرو شد. ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی ، جایگزین مناسبی برای ماسفت هستند. کمپرسور ۴-به-۲ از محبوب ترین سلول های فشرده ساز بیتی هستند که در جمع یا ضرب چندعملوندی کاربرد زیادی دارند. مهمترین عملکرد آنها در افزایش عملکرد و کارآیی محاسبات فشرده سازی عمل ضرب است. در این مقاله، پس از بررسی دوازده ساختار مختلف کمپرسور ۴-به-۲ که در مقالات مختلف طراحی شده است، یک کمپرسور ۴-به-۲ جدید با استفاده از تغییر در روابط منطقی و فناوری نانولوله کربنی طراحی شده است. کمپرسور ۴-به-۲ جدید پیشنهادی و دیگر ساختارهای طراحی شده در مقالات مختلف، با استفاده از نرم افزار شبیه ساز HSPICE پیاده-سازی شده اند. طرح پیشنهادی و کمپرسورهای قبلی از نظر مصرف توان، تاخیر، تعداد ترانزیستور و دقت مقایسه شده است. نتایج شبیه سازی نشان دهنده اینست که ساختار کمپرسور جدید ۲۵% کاهش در مصرف توان، ۱۸% کاهش در تاخیر و ۱۲% کاهش در تعداد ترانزیستور نسبت به بهترین کمپرسور قبلی داشته است.

کلیدواژه ها:

فناوری ترانزیستورهای نانولوله کربنی ، کمپرسور ۴-به-۲ ، تاخیر

نویسندگان

مهدی باقری زاده

گروه مهندسی کامپیوتر، واحد رفسنجان، دانشگاه آزاد اسلامی، رفسنجان، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Pishvaie A, Jaberipur G, Jahanian A. High-performance CMOS (۴:۲) compressors. ...
  • Okubo N, A ۴.۴-ns CMOS ۵۴×۵۴-b multipler using pass-pransistor multiplexor, ...
  • Zareei Z, Bagherizadeh M, Shafiabadi M, Safaei Mehrabani Y. Design ...
  • Gu J, Chang CH. Ultra low voltage, low power ۴-۲ ...
  • Fathi A, Azizian S, Hadidi K, Khoei A. A novel ...
  • Pishvaie A, Jaberipur G, Jahanian A. Redesigned CMOS (۴; ۲) ...
  • Alkaldy E, Navi K, Sharifi F, Moaiyeri MH. An ultra ...
  • Bagherizadeh M, Eshghi M. A new high speed carbon nanotube ...
  • Avan A, Maleknejad M, Navi K. High‐speed energy efficient process, ...
  • Maleknejad M, Mirhosseini SM, Mohammadi S. A CNFET-based PVT-tolerant hybrid ...
  • Maleknejad M, Sharifi F, Sharifi H. Noise and PVT Tolerant, ...
  • Deng J, Wong HSP. A Compact SPICE Model for Carbon-Nanotube ...
  • Downloads | Nanoelectronics Lab [Internet]. [cited ۲۰۲۴ Oct ۱۱]. Available ...
  • نمایش کامل مراجع