اثر دوپ نیتروژن و سریم برخواص فوتوکاتالیستی و آبدوستی پوشش های نانوTiO 2 بر روی سطح شیشه سرامیک
محل انتشار: هشتمین کنگره سرامیک ایران
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,028
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICC08_155
تاریخ نمایه سازی: 14 مهر 1392
چکیده مقاله:
در دو دهه ی اخیرTiO 2 به عنوان یک فوتوکاتا لیست مورد توجه ز یادی قرار گرفته است، یک روش موثر دربهبود کارایی فوتوکاتالیستی دی اکسید تیتانیم، افزودن یون های فلزی، عناصرنادرخاکی و غیرفلزها به ساختار آن است . در این پژوهش، پوشش های نانوTiO2 دوپ (آلایش) شده با سریم و نیتروژن به روش سل-ژل و غوطه وری بر روی سطح شیشه- سرامیک اعمال شد . نمونه ها به مدت 2 ساعت در دما ی 550 درجه سانتیگراد عملیات حرارتی شد . سپس ساختار بلوری نمونه ها با استفاده از تکنیک پراش پرتوایکس XRD) و خاصیت آبدوستی آنها با اندازه گیری زاویه تماس قطره ی آب با سطح پوشش تعیین شد . اثر فوتوکاتالیستی از طریق اندازه گیری میزان تخریب و تجزیه یMethyl Orangeبر اثر تابش نور (طول موج366nm=λ و خواص نوری آن ها به کمک ط یف سنج جذب ی انعکاسی UV-Vis ور یزساختار نمونه ها با استفاده از م یکروسکوپ نیروی اتم یAFM) مورد مطالعه قرار گرفت و اثر افزدونی هایN و Ce بر خواص پوشش ها بررس ی شد نتایج به دست آمده نشان داد که افزودن نیتروژن و سریم به ساختار TiO2 گاف انرژیTiO2 را از 3/2ev حتی تا 2/4evکاهش داده و طول عمر زوج الکترون - حفره ی تهییج شده توسط نور را افز ایش م ی دهد . در نتیجه خواص فوتوکاتالیستی و آبدوستی فاز آناتازTiO2 بهبود می یابد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
نسرین احمدی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات،
علی نعمتی
دانشگاه صنعتی شریف،
مهران صولتی هشجین
دانشگاه صنعتی امیرکبیر،
کاوه ارزانی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات،
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :